Tendrombohitra PAR® Transient Voltage Suppressors (TVS) DO-218AB SM8S
Ny tombony amin'ny DO-218AB SM8S:
1. Noho ny teknolojian'ny Chemical Etching Method, ny vokatra ratsy amin'ny fomba fanapahana mivantana dia nesorina.
2. Mahery amin'ny fiakaran'ny vidim-piainana noho ny chip lehibe kokoa noho ny mitovy aminy.
3. Taham-pahavitrihana ambany dia ambany amin'ny toetr'andro sy faritra samihafa
4. Nankatoavin'ny fenitra AEC-Q101
5. Ny fiasan'ny diode dia tsara, mahazo tombony amin'ny fiarovana ara-tsiansa amin'ny PN junction.
TOETRA VOALOHANY:
VBR: 11.1 V hatramin'ny 52.8 V
VWM: 10 V hatramin'ny 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
ny: 8w
IFSM: 700 A
TJ ambony indrindra: 175 °C
Polarity: Uni-directional
Fonosana: DO-218AB
Fitsipika momba ny famokarana Chip
1. Fanontam-pirinty mandeha ho azy(Fanontam-pirinty wafer mandeha ho azy faran'izay mazava）
2. Automatic voalohany-etching(Fitaovana Etching mandeha ho azy，CPK>1.67）
3. Fitsapana polarity mandeha ho azy (Fitsapana polarity mazava tsara)
4. Fivoriambe mandeha ho azy （Fivoriambe mazava ho azy manokana novolavolaina）
5. Soldering (fiarovana amin'ny fifangaroan'ny azota sy ny hydrogène
Vacuum soldering)
6. Automatic Second-etching (Automatic Second-etching miaraka amin'ny Ultra-pure Water)
7. Fametahana mandeha ho azy (Ny fametahana fanamiana sy ny kajy marina dia tanteraka amin'ny alàlan'ny fitaovana fametahana mazava tsara)
8. Fitsapana Thermal Automatic (Fifidianana mandeha ho azy amin'ny Tester Thermal)
9. Fitsapana mandeha ho azy (Mpitsapa Multifunctional)
